AO3480C一般的描述：

•沟槽功率MOSFET技术30V

•低RDS(上)

•门电荷低

•RoHS和无卤素兼容

AO3480C产品目录:

VDS公司

ID (at VGS=4.5V) 6.2A

RDS(上)(vg = 10 v) < 20 mΩ

在vg RDS(上)(= 4.5 v) < 26 mΩ

AO3480C防静电保护

A. RqJA的值是用2oz的装置安装在1in2 FR-4板上测量的。铜，在TA =25℃的静空气环境中。的价值在任何给定的应用取决于用户的具体板设计。

B.功耗PD基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的接点-环境热阻。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ(MAX)=150℃限制。额定值是基于低频和占空比来保持的

initialTJ = 25°C。RqJA是从结到引线RqJL和引线到环境的热阻抗之和。

E.图1到6中的静态特性是使用小于300ms的脉冲，占空比最大为0.5%获得的。

F.这些曲线是基于在1in2上安装的装置测量的接点到环境的热阻抗FR-4板与2盎司。假设TJ(MAX)的最大结温=150℃。SOA曲线提供了一个单一的脉冲额定值。

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